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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSL214NL6327HTSA1
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BSL214NL6327HTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSL214NL6327HTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSL214NL6327HTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
BSL214NL6327HTSA1.pdf
vorrätig: 4110

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Spezifikation

BSL214NL6327HTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSL214NL6327HTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSL214NL6327HTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSOP6-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Leistung - max 500mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSL214  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSL214NL6327HTSA1.

Produkteigenschaften BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL214NL6327 BSL214N H6327
Artikelnummer BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL214NL6327 BSL214N H6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V -
Grundproduktnummer BSL214 BSL215 BSL214 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A 1.5A 1.5A -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate -
Leistung - max 500mW 500mW 500mW -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V 0.73nC @ 4.5V 0.8nC @ 5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 143pF @ 10V 143pF @ 10V 143pF @ 10V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel Complementary 2 N-Channel (Dual) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6 PG-TSOP6-6 -
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

BSL214NL6327HTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSL214NL6327HTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSL214NL6327HTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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