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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSO083N03MSGXUMA1
BSO083N03MSGXUMA1 Image
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BSO083N03MSGXUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO083N03MSGXUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO083N03MSGXUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO083N03MS G.pdf
vorrätig: 84120

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Spezifikation

BSO083N03MSGXUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO083N03MSGXUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO083N03MSGXUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO083N03MSGXUMA1.

Produkteigenschaften BSO083N03MSGXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03NS3G BSO083N03MSG
Artikelnummer BSO083N03MSGXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03NS3G BSO083N03MSG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.1V @ 150µA 2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta) 12.6A (Ta) 12A (Ta) 11A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 136 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta) 1.79W (Ta) 1.6W (Ta) 1.56W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ 3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 14.9A, 10V 8mOhm @ 14.8A, 10V 8.3mOhm @ 14A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V 5890 pF @ 25 V 6750 pF @ 15 V 2100 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel

BSO083N03MSGXUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSO083N03MSGXUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSO083N03MSGXUMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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