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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSO215C
BSO215C Image
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BSO215C - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO215C
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO215C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO215C.pdf
vorrätig: 4400

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Anzahl

Spezifikation

BSO215C Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO215C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO215C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.7A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer BSO215  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO215C.

Produkteigenschaften BSO215C BSO211PH BSO211P BSO2N604L
Artikelnummer BSO215C BSO211PH BSO211P BSO2N604L
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Leistung - max 2W 1.6W (Ta) 2W -
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie SIPMOS® OptiMOS™ P OptiMOS™ -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 532-BFBGA, FCBGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 246pF @ 25V 1095pF @ 15V 920pF @ 15V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.7A, 10V 67mOhm @ 4.6A, 4.5V 67mOhm @ 4.7A, 4.5V -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 532-FCBGA (23x23) PG-DSO-8 -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA 1.2V @ 25µA 1.2V @ 25µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 10V 10nC @ 4.5V 23.9nC @ 4.5V -
Grundproduktnummer BSO215 BSO211 BSO211 -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A 4A (Ta) 4.7A -

BSO215C Datenblatt PDF

Laden Sie BSO215C PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSO215C - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
BSO215C.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
BSO215C 16/Mar/2004.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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