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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSP129L6906
Infineon Technologies
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BSP129L6906 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSP129L6906
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSP129L6906
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BSP129L6906.pdf
RoHS Status
vorrätig: 141660

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Spezifikation

BSP129L6906 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSP129L6906 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSP129L6906

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4-21  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 108 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 240 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSP129L6906.

Produkteigenschaften BSP129L6906 BSP129H6327XTSA1 BSP135 E6327 BSP129L6327
Artikelnummer BSP129L6906 BSP129H6327XTSA1 BSP135 E6327 BSP129L6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 5 V 5.7 nC @ 5 V 4.9 nC @ 5 V 5.7 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 108 pF @ 25 V 108 pF @ 25 V 146 pF @ 25 V 108 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 240 V 240 V 600 V 240 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V 0V, 10V 0V, 10V 0V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V 6Ohm @ 350mA, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V 6Ohm @ 350mA, 10V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA 1V @ 108µA 1V @ 94µA 1V @ 108µA
FET-Merkmal Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode Depletion Mode
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA (Ta) 350mA (Ta) 120mA (Ta) 350mA (Ta)

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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