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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSP135H6327XTSA1
BSP135H6327XTSA1 Image
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BSP135H6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSP135H6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSP135H6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BSP135H6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 50690

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Anzahl

Spezifikation

BSP135H6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSP135H6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSP135H6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 94µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 146 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA (Ta)  
Grundproduktnummer BSP135  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSP135H6327XTSA1.

Produkteigenschaften BSP135H6327XTSA1 BSP135 E6327 BSP135 L6906 BSP135 L6327
Artikelnummer BSP135H6327XTSA1 BSP135 E6327 BSP135 L6906 BSP135 L6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V 0V, 10V - -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 - -
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Grundproduktnummer BSP135 - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 94µA 1V @ 94µA - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 146 pF @ 25 V 146 pF @ 25 V - -
Serie SIPMOS® SIPMOS® - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120mA (Ta) 120mA (Ta) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V 4.9 nC @ 5 V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
FET-Merkmal Depletion Mode Depletion Mode - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -

BSP135H6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSP135H6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSP135H6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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