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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSP297 E6327
BSP297 E6327 Image
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BSP297 E6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSP297 E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSP297 E6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BSP297 E6327.pdf
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

BSP297 E6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSP297 E6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSP297 E6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 660mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 357 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 660mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSP297 E6327.

Produkteigenschaften BSP297 E6327 BSP297L6327 BSP296E6327 BSP296NH6327XTSA1
Artikelnummer BSP297 E6327 BSP297L6327 BSP296E6327 BSP296NH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.79W (Ta) 1.8W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 660mA, 10V 1.8Ohm @ 660mA, 10V 700mOhm @ 1.1A, 10V 600mOhm @ 1.2A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 660mA (Ta) 660mA (Ta) 1.1A (Ta) 1.2A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V 16.1 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 357 pF @ 25 V 357 pF @ 25 V 364 pF @ 25 V 152.7 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 100 V 100 V
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® OptiMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA 1.8V @ 400µA 1.8V @ 400µA 1.8V @ 100µA
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

BSP297 E6327 Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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