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BSP317PE6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSP317PE6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSP317PE6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BSP317P.pdf
vorrätig: 5060

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Spezifikation

BSP317PE6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSP317PE6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSP317PE6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 370µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 262 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 430mA (Ta)  
Grundproduktnummer BSP317  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSP317PE6327.

Produkteigenschaften BSP317PE6327 BSP317PH6327XTSA1 BSP318S E6327 BSP316PL6327
Artikelnummer BSP317PE6327 BSP317PH6327XTSA1 BSP318S E6327 BSP316PL6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 370µA 2V @ 370µA 2V @ 20µA 2V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1 nC @ 10 V 15.1 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 430mA (Ta) 430mA (Ta) 2.6A (Ta) 680mA (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Grundproduktnummer BSP317 BSP317 - -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 250 V 60 V 100 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 262 pF @ 25 V 262 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 146 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V 4Ohm @ 430mA, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA

BSP317PE6327 Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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