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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSP322PL6327
Infineon Technologies
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BSP322PL6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSP322PL6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSP322PL6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BSP322PL6327.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4780

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Anzahl

Spezifikation

BSP322PL6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSP322PL6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSP322PL6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 380µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4-21  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSP322PL6327.

Produkteigenschaften BSP322PL6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327 BSP322PH6327XTSA1
Artikelnummer BSP322PL6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327 BSP322PH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc) 170mA (Ta) 170mA (Ta) 1A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 372 pF @ 25 V 154 pF @ 25 V 154 pF @ 25 V 372 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 380µA 2.3V @ 94µA 2.3V @ 94µA 1V @ 380µA
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 400 V 400 V 100 V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 5.9 nC @ 10 V 5.9 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 1A, 10V 25Ohm @ 170mA, 10V 25Ohm @ 170mA, 10V 800mOhm @ 1A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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