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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS119E6327
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BSS119E6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSS119E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSS119E6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSS119.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 5140

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Spezifikation

BSS119E6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSS119E6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSS119E6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 78 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSS119E6327.

Produkteigenschaften BSS119E6327 BSS123 BSS123-7-F BSS123
Artikelnummer BSS119E6327 BSS123 BSS123-7-F BSS123
Hersteller Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Diodes Incorporated onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 50µA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 78 pF @ 25 V 73 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 14 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170mA (Ta) 170mA (Ta) 170mA (Ta) 200mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie SIPMOS® - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 300mW (Ta) 350mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V 2.5 nC @ 10 V - 1.8 nC @ 10 V

BSS119E6327 Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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