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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS209PW
BSS209PW Image
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BSS209PW - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSS209PW
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSS209PW
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 580MA SOT323-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
BSS209PW.pdf
vorrätig: 4140

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Anzahl

Spezifikation

BSS209PW Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSS209PW Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSS209PW

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.5µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 580mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 520mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 89.9 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.38 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 580mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSS209PW.

Produkteigenschaften BSS209PW BSS205NH6327XTSA1 BSS209PW L6327 BSS192PH6327
Artikelnummer BSS209PW BSS205NH6327XTSA1 BSS209PW L6327 BSS192PH6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.38 nC @ 4.5 V 3.2 nC @ 4.5 V 1.38 nC @ 4.5 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 89.9 pF @ 15 V 419 pF @ 10 V 89.9 pF @ 15 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 580mA (Ta) 2.5A (Ta) 580mA (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.5µA 1.2V @ 11µA 1.2V @ 3.5µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 580mA, 4.5V 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 550mOhm @ 580mA, 4.5V -
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323 PG-SOT23 PG-SOT323 -
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V -
Verlustleistung (max) 520mW (Ta) 500mW (Ta) 300mW (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

BSS209PW Datenblatt PDF

Laden Sie BSS209PW PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSS209PW - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 28/Mar/2008.pdf
Datenblätter
BSS209PW.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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