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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS214NWH6327
Infineon Technologies
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BSS214NWH6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSS214NWH6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSS214NWH6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
BSS214NWH6327.pdf
vorrätig: 5230

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Anzahl

Spezifikation

BSS214NWH6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSS214NWH6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSS214NWH6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323-3-2  
Serie OptiMOS™ 2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSS214NWH6327.

Produkteigenschaften BSS214NWH6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327
Artikelnummer BSS214NWH6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V 0.8 nC @ 5 V 0.8 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 3.7µA 600mV @ 11µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323-3-2 PG-SOT23 PG-SOT323 PG-SOT23-3-5
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Serie OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™P2
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V 143 pF @ 10 V 143 pF @ 10 V 346 pF @ 15 V

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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