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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS308PEH6327XTSA1
BSS308PEH6327XTSA1 Image
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BSS308PEH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSS308PEH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSS308PEH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 203880

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Anzahl

Spezifikation

BSS308PEH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSS308PEH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSS308PEH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer BSS308  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSS308PEH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 BSS308P
Artikelnummer BSS308PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 BSS308P
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 PG-SOT23 PG-SOT23 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Grundproduktnummer BSS308 BSS314 BSS306 -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA 2V @ 6.3µA 2V @ 11µA -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 15 V 294 pF @ 15 V 275 pF @ 15 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2A, 10V 140mOhm @ 1.5A, 10V 57mOhm @ 2.3A, 10V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 1.5A (Ta) 2.3A (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V 2.9 nC @ 10 V 1.5 nC @ 5 V -

BSS308PEH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSS308PEH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSS308PEH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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