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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS606NH6327XTSA1
BSS606NH6327XTSA1 Image
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BSS606NH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSS606NH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
BSS606NH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 151580

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Anzahl

Spezifikation

BSS606NH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSS606NH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSS606NH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 15µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT89  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 657 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta)  
Grundproduktnummer BSS606  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSS606NH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327
Artikelnummer BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 15µA 2.3V @ 15µA 2V @ 3.7µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.2A, 10V 60mOhm @ 3.2A, 10V 160mOhm @ 1.4A, 10V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6 nC @ 5 V 5.6 nC @ 5 V 0.6 nC @ 5 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta) 3.2A (Ta) 1.4A (Ta) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 657 pF @ 25 V 657 pF @ 25 V 94 pF @ 15 V -
Grundproduktnummer BSS606 - BSS316 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 30 V -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT89 PG-SOT89-4-2 PG-SOT23 -
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) -

BSS606NH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSS606NH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSS606NH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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