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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSZ040N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSZ040N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSZ040N06LS5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSZ040N06LS5ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSZ040N06LS5ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 60460

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Anzahl

Spezifikation

BSZ040N06LS5ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSZ040N06LS5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSZ040N06LS5ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 36µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 69W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Standard  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer BSZ040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSZ040N06LS5ATMA1.

Produkteigenschaften BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ049N03LSCGATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Artikelnummer BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 BSZ049N03LSCGATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V - 25 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ * OptiMOS™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
FET-Merkmal Standard - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 4.5 V 64 nC @ 10 V - 16 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) - 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 18A (Ta), 40A (Tc) - 16A (Ta), 40A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 - PG-TSDSON-8-FL
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 36µA 2V @ 36µA - 2V @ 250µA
Grundproduktnummer BSZ040 BSZ040 - BSZ036
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100 pF @ 30 V 5100 pF @ 20 V - 1200 pF @ 12 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V - 3.6mOhm @ 20A, 10V

BSZ040N06LS5ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSZ040N06LS5ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSZ040N06LS5ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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