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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSZ067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSZ067N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSZ067N06LS3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSZ067N06LS3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
BSZ067N06LS3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 64430

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Anzahl

Spezifikation

BSZ067N06LS3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSZ067N06LS3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSZ067N06LS3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 20A (Tc)  
Grundproduktnummer BSZ067  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSZ067N06LS3GATMA1.

Produkteigenschaften BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ0702LSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1
Artikelnummer BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ0702LSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 20A (Tc) 17A (Ta), 40A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc)
Verlustleistung (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) 69W (Tc) 69W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer BSZ067 BSZ0702 BSZ070 BSZ075
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 30 V 3100 pF @ 30 V 2340 pF @ 40 V 2080 pF @ 40 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 5 OptiMOS™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8 PG-TDSON-8 FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-26
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - Standard -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 5 nC @ 4.5 V 29.5 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 35µA 2.3V @ 36µA 2.3V @ 36µA 3.8V @ 36µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 80 V 80 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BSZ067N06LS3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSZ067N06LS3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSZ067N06LS3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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