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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSZ0909NDXTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSZ0909NDXTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSZ0909NDXTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
BSZ0909NDXTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4730

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Anzahl

Spezifikation

BSZ0909NDXTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-WISON-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V  
Leistung - max 17W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSZ0909  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSZ0909NDXTMA1.

Produkteigenschaften BSZ0909NDXTMA1 BSZ0908NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0909LSATMA1
Artikelnummer BSZ0909NDXTMA1 BSZ0908NDXTMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0909LSATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V 22 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 100 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 4.8A (Ta), 7.6A (Ta) 40A (Tc) 19A (Ta), 40A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer BSZ0909 BSZ0908 BSZ096 BSZ0909
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 15V 340pF @ 15V, 730pF @ 15V 2100 pF @ 50 V 1700 pF @ 15 V
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4.5V Drive Logic Level Gate, 4.5V Drive Standard -
Supplier Device-Gehäuse PG-WISON-8 PG-WISON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TDSON-8 FL
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 36µA 2V @ 250µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS® OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 5
Leistung - max 17W 700mW (Ta), 860mW (Ta) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9A, 10V 18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

BSZ0909NDXTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSZ0909NDXTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSZ0909NDXTMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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