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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBTS244Z E3043
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BTS244Z E3043 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BTS244Z E3043
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BTS244Z E3043
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-43
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-5
Datenblatt
BTS244Z.pdf
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

BTS244Z E3043 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BTS244Z E3043 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BTS244Z E3043

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse P-TO220-5-43  
Serie TEMPFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 170W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-5  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Temperature Sensing Diode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BTS244Z E3043.

Produkteigenschaften BTS244Z E3043 BTS240AHKSA1 BTS244Z E3062A BTS247Z E3062A
Artikelnummer BTS244Z E3043 BTS240AHKSA1 BTS244Z E3062A BTS247Z E3062A
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 1730 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse P-TO220-5-43 PG-TO218-3-1 PG-TO220-5-62 PG-TO263-5-2
FET-Merkmal Temperature Sensing Diode - Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V - 130 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 TO-218-3 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 58A (Tc) 35A (Tc) 33A (Tc)
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 50 V 55 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 47A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 12A, 10V
Serie TEMPFET® Automotive, AEC-Q101 TEMPFET® TEMPFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 130µA 3.5V @ 1mA 2V @ 130µA 2V @ 90µA
Verlustleistung (max) 170W (Tc) 170W 170W (Tc) 120W (Tc)

BTS244Z E3043 Datenblatt PDF

Laden Sie BTS244Z E3043 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BTS244Z E3043 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
BTS244Z.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
BTS244Z Devices 10/Sep/2013.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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