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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBTS282ZE3230AKSA2
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BTS282ZE3230AKSA2 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BTS282ZE3230AKSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BTS282ZE3230AKSA2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-7
Datenblatt
BTS282ZE3230AKSA2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9711

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Anzahl

Spezifikation

BTS282ZE3230AKSA2 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BTS282ZE3230AKSA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BTS282ZE3230AKSA2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-7-12  
Serie TEMPFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-7  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Temperature Sensing Diode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 49 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer BTS282  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BTS282ZE3230AKSA2.

Produkteigenschaften BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230 BTS247Z E3062A BTS282Z E3230
Artikelnummer BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230 BTS247Z E3062A BTS282Z E3230
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V
FET-Merkmal Temperature Sensing Diode - Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA 2V @ 240µA 2V @ 90µA 2V @ 240µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 33A (Tc) 80A (Tc)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 300W (Tc) 120W (Tc) 300W (Tc)
Grundproduktnummer BTS282 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-7-12 PG-TO220-7-12 PG-TO263-5-2 P-TO220-7-230
Verpackung / Gehäuse TO-220-7 TO-220-7 TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-220-7
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V 18mOhm @ 12A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 1730 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET®
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 49 V 49 V 55 V 49 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

BTS282ZE3230AKSA2 Datenblatt PDF

Laden Sie BTS282ZE3230AKSA2 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BTS282ZE3230AKSA2 - Infineon Technologies herunter.

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