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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBUZ30A
Infineon Technologies
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BUZ30A - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BUZ30A
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BUZ30A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
BUZ30A.pdf
vorrätig: 4260

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Anzahl

Spezifikation

BUZ30A Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BUZ30A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BUZ30A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BUZ30A.

Produkteigenschaften BUZ30A BUZ31 E3045A BUZ30AH3045A BUZ30A H3045A
Artikelnummer BUZ30A BUZ31 E3045A BUZ30AH3045A BUZ30A H3045A
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13.5A, 10V 200mOhm @ 9A, 5V 130mOhm @ 13.5A, 10V 130mOhm @ 13.5A, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 14.5A (Tc) 21A (Tc) 21A (Tc)
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1120 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 95W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc)

BUZ30A Datenblatt PDF

Laden Sie BUZ30A PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BUZ30A - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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