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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBUZ73AL
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BUZ73AL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BUZ73AL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BUZ73AL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
BUZ73AL.pdf
vorrätig: 3610

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Anzahl

Spezifikation

BUZ73AL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BUZ73AL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BUZ73AL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 5V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BUZ73AL.

Produkteigenschaften BUZ73AL BUZ73A BUZ72A BUZ80A
Artikelnummer BUZ73AL BUZ73A BUZ72A BUZ80A
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Bulk Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) - 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 10V - 10V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V - 800 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 - TO-220AB
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 4V @ 1mA - 4V @ 1mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 5V 600mOhm @ 4.5A, 10V - 3Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 40W (Tc) - 100W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V - 1350 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - TO-220-3
Serie SIPMOS® SIPMOS® * SIPMOS®

BUZ73AL Datenblatt PDF

Laden Sie BUZ73AL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BUZ73AL - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
BUZ73AL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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