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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryCY14B101Q2-LHXI
CY14B101Q2-LHXI Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CY14B101Q2-LHXI - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
CY14B101Q2-LHXI
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-CY14B101Q2-LHXI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
CY14B101Q1_Q2_Q3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4149

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Anzahl

Spezifikation

CY14B101Q2-LHXI Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - CY14B101Q2-LHXI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - CY14B101Q2-LHXI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V  
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 1Mbit  
Speicherorganisation 128K x 8  
Speicherschnittstelle SPI  
Speicherformat NVSRAM  
Uhrfrequenz 40 MHz  
Grundproduktnummer CY14B101  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies CY14B101Q2-LHXI.

Produkteigenschaften CY14B101Q2-LHXI CY14B101Q1A-SXI CY14B101NA-ZS25XI CY14B101LA-ZS45XIT
Artikelnummer CY14B101Q2-LHXI CY14B101Q1A-SXI CY14B101NA-ZS25XI CY14B101LA-ZS45XIT
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tray Tube Tray Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width)
Speicherformat NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Speicherorganisation 128K x 8 128K x 8 64K x 16 128K x 8
Uhrfrequenz 40 MHz 40 MHz - -
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - - 25ns 45ns
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) 8-SOIC 44-TSOP II 44-TSOP II
Speichergröße 1Mbit 1Mbit 1Mbit 1Mbit
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Speicherschnittstelle SPI SPI Parallel Parallel
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Grundproduktnummer CY14B101 CY14B101 CY14B101 CY14B101

CY14B101Q2-LHXI Datenblatt PDF

Laden Sie CY14B101Q2-LHXI PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für CY14B101Q2-LHXI - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019.pdf Ship Label REV.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualification Advance Notice 20/May/2016.pdf
HTML -Datenblatt
CY14B101Q1_Q2_Q3.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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