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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryCY14B108N-BA25XI
CY14B108N-BA25XI Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CY14B108N-BA25XI - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
CY14B108N-BA25XI
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-CY14B108N-BA25XI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
48-TFBGA
Datenblatt
CY14B108N-BA25XI.pdf
RoHS Status
vorrätig: 647

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Anzahl

Spezifikation

CY14B108N-BA25XI Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - CY14B108N-BA25XI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - CY14B108N-BA25XI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 25ns  
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V  
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)  
Supplier Device-Gehäuse 48-FBGA (6x10)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 48-TFBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Non-Volatile  
Speichergröße 8Mbit  
Speicherorganisation 512K x 16  
Speicherschnittstelle Parallel  
Speicherformat NVSRAM  
Grundproduktnummer CY14B108  
Zugriffszeit 25 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies CY14B108N-BA25XI.

Produkteigenschaften CY14B108N-BA25XI CY14B104NA-ZSP45XI CY14B108N-BA45XI CY14B108K-ZS45XI
Artikelnummer CY14B108N-BA25XI CY14B104NA-ZSP45XI CY14B108N-BA45XI CY14B108K-ZS45XI
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Serie - - - -
Speicherformat NVSRAM NVSRAM NVSRAM NVSRAM
Speichergröße 8Mbit 4Mbit 8Mbit 8Mbit
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 25ns 45ns 45ns 45ns
Speicherorganisation 512K x 16 256K x 16 512K x 16 1M x 8
Supplier Device-Gehäuse 48-FBGA (6x10) 54-TSOP II 48-FBGA (6x10) 44-TSOP II
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Grundproduktnummer CY14B108 CY14B104 CY14B108 CY14B108
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Speicherschnittstelle Parallel Parallel Parallel Parallel
Paket Tray Tray Tray Tray
Speichertyp Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Zugriffszeit 25 ns 45 ns 45 ns 45 ns
Verpackung / Gehäuse 48-TFBGA 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 48-TFBGA 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

CY14B108N-BA25XI Datenblatt PDF

Laden Sie CY14B108N-BA25XI PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für CY14B108N-BA25XI - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019.pdf Ship Label REV.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Device Serial No Mark 26/Sep/2017.pdf Errata Update 26/Sep/2014.pdf
PCN Andere
Multiple Updates 27/Mar/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 26/Oct/2022.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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