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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)MemoryCYD09S36V18-200BBXI
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

CYD09S36V18-200BBXI - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
CYD09S36V18-200BBXI
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-CYD09S36V18-200BBXI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
256-LBGA
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13820

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Anzahl

Spezifikation

CYD09S36V18-200BBXI Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - CYD09S36V18-200BBXI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - CYD09S36V18-200BBXI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -  
Spannungsversorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V  
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous  
Supplier Device-Gehäuse 256-FBGA (17x17)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 256-LBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 9Mbit  
Speicherorganisation 256K x 36  
Speicherschnittstelle Parallel  
Speicherformat SRAM  
Uhrfrequenz 200 MHz  
Grundproduktnummer CYD09S36  
Zugriffszeit 3.3 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies CYD09S36V18-200BBXI.

Produkteigenschaften CYD09S36V18-200BBXI CYD09S72V-133BBI CYD09S72V-167BBC CYD18S18V18-200BBAXC
Artikelnummer CYD09S36V18-200BBXI CYD09S72V-133BBI CYD09S72V-167BBC CYD18S18V18-200BBAXC
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse 256-LBGA 484-BGA 484-BGA 256-LBGA
Spannungsversorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous SRAM - Dual Port, Synchronous SRAM - Dual Port, Synchronous SRAM - Dual Port, Synchronous
Speicherorganisation 256K x 36 128K x 72 128K x 72 1M x 18
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Uhrfrequenz 200 MHz 133 MHz 167 MHz 200 MHz
Grundproduktnummer CYD09S36 CYD09S72 CYD09S72 CYD18S18
Zugriffszeit 3.3 ns 4.4 ns 4 ns 3.3 ns
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse 256-FBGA (17x17) 484-FBGA (23x23) 484-FBGA (23x23) 256-FBGA (17x17)
Speicherformat SRAM SRAM SRAM SRAM
Speicherschnittstelle Parallel Parallel Parallel Parallel
Speichergröße 9Mbit 9Mbit 9Mbit 18Mbit
Paket Tray Tray Tray Tray

CYD09S36V18-200BBXI Datenblatt PDF

Laden Sie CYD09S36V18-200BBXI PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für CYD09S36V18-200BBXI - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Date Code/Shelf Life Chgs 18/Jul/2019.pdf Ship Label REV.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jan/2018.pdf Mult Dev EOL/Support 1/Jun/2020.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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