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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelIDH02G65C5XKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IDH02G65C5XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IDH02G65C5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IDH02G65C5XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 2A TO220-2-1
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
IDH02G65C5XKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5200

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Anzahl

Spezifikation

IDH02G65C5XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IDH02G65C5XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IDH02G65C5XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 2 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-1  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 35 µA @ 650 V  
Strom - Richt (Io) 2A  
Kapazität @ Vr, F 70pF @ 1V, 1MHz  
Grundproduktnummer IDH02G65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IDH02G65C5XKSA1.

Produkteigenschaften IDH02G65C5XKSA1 IDH05G120C5XKSA1 IDH03SG60C IDH05S120
Artikelnummer IDH02G65C5XKSA1 IDH05G120C5XKSA1 IDH03SG60C IDH05S120
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-1 PG-TO220-2-1 PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ CoolSiC™+ -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 2 A 1.8 V @ 5 A 2.3 V @ 3 A -
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Strom - Richt (Io) 2A 5A 3A -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 0 ns 0 ns -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V 1200 V 600 V -
Grundproduktnummer IDH02G65 IDH05G120 - -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) -
Kapazität @ Vr, F 70pF @ 1V, 1MHz 301pF @ 1V, 1MHz 60pF @ 1V, 1MHz -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 35 µA @ 650 V 33 µA @ 1200 V 15 µA @ 600 V -
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

IDH02G65C5XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IDH02G65C5XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IDH02G65C5XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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