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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelIDK06G65C5XTMA1
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IDK06G65C5XTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IDK06G65C5XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IDK06G65C5XTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 6A TO263-2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IDK06G65C5XTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

IDK06G65C5XTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IDK06G65C5XTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IDK06G65C5XTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 6 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-2  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1.1 mA @ 650 V  
Strom - Richt (Io) 6A  
Kapazität @ Vr, F 190pF @ 1V, 1MHz  
Grundproduktnummer IDK06G65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IDK06G65C5XTMA1.

Produkteigenschaften IDK06G65C5XTMA1 BAS21T EP04RA60 R5010815XXWA
Artikelnummer IDK06G65C5XTMA1 BAS21T EP04RA60 R5010815XXWA
Hersteller Infineon Technologies Yangjie Technology KYOCERA AVX Powerex Inc.
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -65°C ~ 200°C
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-2 SOT-523 SOD-123 DO-205AA (DO-8)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Stud Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Grundproduktnummer IDK06G65 BAS21 - R5010815
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 50 ns 40 ns 7 µs
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1.1 mA @ 650 V 100 nA @ 250 V 10 µA @ 600 V 30 mA @ 800 V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 6 A 1 V @ 100 mA 1.32 V @ 400 mA -
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard Standard Standard, Reverse Polarity
Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V 250 V 600 V 800 V
Serie CoolSiC™+ - - -
Strom - Richt (Io) 6A 200mA 400mA 150A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SOT-523 SOD-123 DO-205AA, DO-8, Stud
Kapazität @ Vr, F 190pF @ 1V, 1MHz 5pF @ 0V, 1MHz - -

IDK06G65C5XTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IDK06G65C5XTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IDK06G65C5XTMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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