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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysIDW40G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IDW40G120C5BFKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IDW40G120C5BFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IDW40G120C5BFKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IDW40G120C5BFKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1744

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Anzahl

Spezifikation

IDW40G120C5BFKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IDW40G120C5BFKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IDW40G120C5BFKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.65 V @ 20 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 166 µA @ 1200 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 55A (DC)  
Grundproduktnummer IDW40G120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IDW40G120C5BFKSA1.

Produkteigenschaften IDW40G120C5BFKSA1 IDW30G65C5XKSA1 IDW40E65D2 IDW40G120C5B D4012B5
Artikelnummer IDW40G120C5BFKSA1 IDW30G65C5XKSA1 IDW40E65D2 IDW40G120C5B D4012B5
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.65 V @ 20 A 1.7 V @ 30 A 2.3 V @ 40 A -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 166 µA @ 1200 V 220 µA @ 650 V 40 µA @ 650 V -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 55A (DC) - - -
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ IDW -
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Standard -
Grundproduktnummer IDW40G120 IDW30G65 - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-3 PG-TO247-3 PG-TO247-3 -
Paket Tube Tube Bulk -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200 V 650 V 650 V -
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode - - -
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -

IDW40G120C5BFKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IDW40G120C5BFKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IDW40G120C5BFKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Design/Spezifikation
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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