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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA126N10N3G
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA126N10N3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA126N10N3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA126N10N3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA126N10N3G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5210

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Anzahl

Spezifikation

IPA126N10N3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA126N10N3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA126N10N3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 45µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-111  
Serie OptiMOS™3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA126N10N3G.

Produkteigenschaften IPA126N10N3G IPA50R190CE IPA180N10N3G IPA093N06N3G 093N06N
Artikelnummer IPA126N10N3G IPA50R190CE IPA180N10N3G IPA093N06N3G 093N06N
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 45µA 3.5V @ 510µA 3.5V @ 35µA -
Serie OptiMOS™3 CoolMOS™ OptiMOS™ 3 -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V 1137 pF @ 100 V 1800 pF @ 50 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 13V 6V, 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 18.5A (Tc) 28A (Tc) -
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-111 PG-TO220-FP PG-TO220-3-111 -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 35A, 10V 190mOhm @ 6.2A, 13V 18mOhm @ 28A, 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 47.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 500 V 100 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Paket Bulk Tube Bulk -
Verlustleistung (max) 33W (Tc) 32W (Tc) 30W (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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