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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA60R125CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA60R125CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA60R125CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA60R125CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA60R125CP.pdf
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

IPA60R125CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA60R125CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA60R125CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA60R125CP.

Produkteigenschaften IPA60R125CP IPA60R125CFD7XKSA1 IPA60R125P6 IPA60R099P6XKSA1
Artikelnummer IPA60R125CP IPA60R125CFD7XKSA1 IPA60R125P6 IPA60R099P6XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 32W (Tc) 34W (Tc) 34W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31 PG-TO220 Full Pack PG-TO220-3-111 PG-TO220-FP
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA 4.5V @ 390µA 4.5V @ 960µA 4.5V @ 1.21mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 100 V 1503 pF @ 400 V 2660 pF @ 100 V 3330 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 25A (Tc) 11A (Tc) 30A (Tc) 37.9A (Tc)
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Serie CoolMOS® OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 16A, 10V 125mOhm @ 7.8A, 10V 125mOhm @ 11.6A, 10V 99mOhm @ 14.5A, 10V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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