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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA60R280P7SXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA60R280P7SXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA60R280P7SXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA60R280P7SXKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67480

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Anzahl

Spezifikation

IPA60R280P7SXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA60R280P7SXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA60R280P7SXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 190µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 24W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer IPA60R280  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA60R280P7SXKSA1.

Produkteigenschaften IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R280E6 IPA60R380C6 IPA60R299CP
Artikelnummer IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R280E6 IPA60R380C6 IPA60R299CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 761 pF @ 400 V 950 pF @ 100 V 700 pF @ 100 V 1100 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 24W (Tc) 32W (Tc) 31W (Tc) 33W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IPA60R280 - - -
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 190µA 3.5V @ 430µA 3.5V @ 320µA 3.5V @ 440µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 3.8A, 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-31
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS E6™ CoolMOS™ CoolMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 13.8A (Tc) 10.6A (Tc) 11A (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IPA60R280P7SXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPA60R280P7SXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPA60R280P7SXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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