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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA60R400CEXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA60R400CEXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA60R400CEXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA60R400CEXKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 73540

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Anzahl

Spezifikation

IPA60R400CEXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA60R400CEXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA60R400CEXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie CoolMOS™ CE  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IPA60R400  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA60R400CEXKSA1.

Produkteigenschaften IPA60R400CEXKSA1 IPA60R380E6XKSA1 IPA60R600E6 IPA60R520CP
Artikelnummer IPA60R400CEXKSA1 IPA60R380E6XKSA1 IPA60R600E6 IPA60R520CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie CoolMOS™ CE CoolMOS™ CoolMOS E6™ CoolMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 20.5 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 100 V 700 pF @ 100 V 440 pF @ 100 V 630 pF @ 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 31W (Tc) 31W (Tc) 28W (Tc) 30W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.3A (Tc) 10.6A (Tc) 7.3A (Tc) 6.8A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-111
Grundproduktnummer IPA60R400 IPA60R380 - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA 3.5V @ 320µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.8A, 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V

IPA60R400CEXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPA60R400CEXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPA60R400CEXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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