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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA60R800CEXKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA60R800CEXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA60R800CEXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA60R800CEXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPD60R800CE, IPA60R800CE.pdf
vorrätig: 3800

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Anzahl

Spezifikation

IPA60R800CEXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA60R800CEXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA60R800CEXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie CoolMOS™ CE  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 27W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 373 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IPA60R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA60R800CEXKSA1.

Produkteigenschaften IPA60R800CEXKSA1 IPA60R600P7 IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6
Artikelnummer IPA60R800CEXKSA1 IPA60R600P7 IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP - PG-TO220-FP PG-TO220-3-111
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V - 600 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA - 4.5V @ 200µA 4.5V @ 200µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole - Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack - TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Grundproduktnummer IPA60R - IPA60R600 -
Serie CoolMOS™ CE * CoolMOS™ P6 CoolMOS P6™
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 373 pF @ 100 V - 557 pF @ 100 V 557 pF @ 100 V
Verlustleistung (max) 27W (Tc) - 28W (Tc) 28W (Tc)
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc) - 4.9A (Tc) 4.9A (Tj)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V - 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2A, 10V - 600mOhm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IPA60R800CEXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPA60R800CEXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPA60R800CEXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Datenblätter
IPD60R800CE, IPA60R800CE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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