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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPAN70R360P7SXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPAN70R360P7SXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPAN70R360P7SXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPAN70R360P7SXKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67980

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Anzahl

Spezifikation

IPAN70R360P7SXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPAN70R360P7SXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPAN70R360P7SXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 26.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 517 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IPAN70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPAN70R360P7SXKSA1.

Produkteigenschaften IPAN70R360P7SXKSA1 IPA95R450P7XKSA1 IPA90R800C3 IPA90R1K2C3XKSA1
Artikelnummer IPAN70R360P7SXKSA1 IPA95R450P7XKSA1 IPA90R800C3 IPA90R1K2C3XKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V 950 V 900 V 900 V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Grundproduktnummer IPAN70 IPA95R450 - IPA90R
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP PG-TO220-FP PG-TO220 Full Pack PG-TO220-FP
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CoolMOS™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 517 pF @ 400 V 1053 pF @ 400 V 1100 pF @ 100 V 710 pF @ 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 3A, 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 800mOhm @ 4.1A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA 3.5V @ 360µA 3.5V @ 460µA 3.5V @ 310µA
Paket Tube Tube Bulk Tube
Verlustleistung (max) 26.5W (Tc) 30W (Tc) 33W (Tc) 31W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Tc) 14A (Tc) 6.9A (Tc) 5.1A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V

IPAN70R360P7SXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPAN70R360P7SXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPAN70R360P7SXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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