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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB024N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB024N10N5ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB024N10N5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB024N10N5ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datenblatt
IPB024N10N5ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10264

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Spezifikation

IPB024N10N5ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB024N10N5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB024N10N5ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 183µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB024N10N5ATMA1.

Produkteigenschaften IPB024N10N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020NE7N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Artikelnummer IPB024N10N5ATMA1 IPB021N06N3G IPB020NE7N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 6V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 183µA 4V @ 196µA 3.8V @ 273µA 3.5V @ 275µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Grundproduktnummer IPB024 - IPB020 IPB025
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10200 pF @ 50 V 23000 pF @ 30 V 14400 pF @ 37.5 V 14800 pF @ 50 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-7
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 75 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) 180A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 138 nC @ 10 V 275 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V 206 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 250W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IPB024N10N5ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB024N10N5ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB024N10N5ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
OptiMOS A/T Chgs 2/Dec/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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