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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB03N03LA
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IPB03N03LA - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB03N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB03N03LA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB03N03LA G.pdf
vorrätig: 4490

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Spezifikation

IPB03N03LA Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB03N03LA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB03N03LA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 55A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7027 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB03N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB03N03LA.

Produkteigenschaften IPB03N03LA IPB03N03LAG IPB038N12N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1
Artikelnummer IPB03N03LA IPB03N03LAG IPB038N12N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc) 188W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA 2V @ 100µA 4V @ 270µA 4V @ 90µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7027 pF @ 15 V 7027 pF @ 15 V 13800 pF @ 60 V 11000 pF @ 30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 120 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 5 V 57 nC @ 5 V 211 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 55A, 10V 2.7mOhm @ 55A, 10V 3.8mOhm @ 100A, 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V
Grundproduktnummer IPB03N - IPB038 IPB037
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 120A (Tc) 90A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3

IPB03N03LA Datenblatt PDF

Laden Sie IPB03N03LA PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB03N03LA - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Datenblätter
IPB03N03LA G.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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