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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB049N08N5ATMA1
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB049N08N5ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB049N08N5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB049N08N5ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB049N08N5ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15956

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Anzahl

Spezifikation

IPB049N08N5ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB049N08N5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB049N08N5ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 66µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB049  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1.

Produkteigenschaften IPB049N08N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB049N06L3G
Artikelnummer IPB049N08N5ATMA1 IPB044N15N5ATMA1 IPB04N03LA IPB049N06L3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IPB049 IPB044 IPB04N -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 300W (Tc) 107W (Tc) 115W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3770 pF @ 40 V 8000 pF @ 75 V 3877 pF @ 15 V 8400 pF @ 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 66µA 4.6V @ 264µA 2V @ 60µA 2.2V @ 58µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 174A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 50 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V 4.4mOhm @ 87A, 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 5mOhm @ 80A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 150 V 25 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-7 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3

IPB049N08N5ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB049N08N5ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB049N08N5ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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