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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB057N06NATMA1
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Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB057N06NATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB057N06NATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB057N06NATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB057N06NATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 47830

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Anzahl

Spezifikation

IPB057N06NATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB057N06NATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB057N06NATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 36µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 45A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB057  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB057N06NATMA1.

Produkteigenschaften IPB057N06NATMA1 IPB05N03LA IPB054N06N3G IPB054N08N3GATMA1
Artikelnummer IPB057N06NATMA1 IPB05N03LA IPB054N06N3G IPB054N08N3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 25 V 60 V 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 25 nC @ 5 V 82 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 45A, 10V 4.6mOhm @ 55A, 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 5.4mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 83W (Tc) 94W (Tc) 115W (Tc) 150W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Ta), 45A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 36µA 2V @ 50µA 4V @ 58µA 3.5V @ 90µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 30 V 3110 pF @ 15 V 6600 pF @ 30 V 4750 pF @ 40 V
Grundproduktnummer IPB057 IPB05N - IPB054
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPB057N06NATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB057N06NATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB057N06NATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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