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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB083N15N5LFATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB083N15N5LFATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB083N15N5LFATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB083N15N5LFATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10959

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Spezifikation

IPB083N15N5LFATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB083N15N5LFATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB083N15N5LFATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 134µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 179W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB083  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB083N15N5LFATMA1.

Produkteigenschaften IPB083N15N5LFATMA1 IPB080N03LG IPB090N06N3GATMA1 IPB096N03LG
Artikelnummer IPB083N15N5LFATMA1 IPB080N03LG IPB090N06N3GATMA1 IPB096N03LG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™3
Verlustleistung (max) 179W (Tc) 47W (Tc) 71W (Tc) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 100A, 10V 8mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 50A, 10V 9.6mOhm @ 30A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 30 V 60 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V 1900 pF @ 15 V 2900 pF @ 30 V 1600 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3
Grundproduktnummer IPB083 - IPB090 -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc) 50A 50A (Tc) 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 134µA 2.2V @ 250µA 4V @ 34µA 2.2V @ 250µA

IPB083N15N5LFATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB083N15N5LFATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB083N15N5LFATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Chgs 3/Nov/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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