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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB100N04S303ATMA1
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IPB100N04S303ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB100N04S303ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB100N04S303ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPx100N04S3-03.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14296

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Anzahl

Spezifikation

IPB100N04S303ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB100N04S303ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB100N04S303ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 214W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB100N04S303ATMA1.

Produkteigenschaften IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA1 IPB100N04S2-04
Artikelnummer IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA1 IPB100N04S2-04
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ *
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPB100 IPB100 IPB100N -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 172 nC @ 10 V 172 nC @ 10 V 172 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Verlustleistung (max) 214W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2

IPB100N04S303ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB100N04S303ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB100N04S303ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IPx100N04S3-03.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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