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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB14N03LA
IPB14N03LA Image
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IPB14N03LA - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB14N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB14N03LA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB14N03LA.pdf
vorrätig: 4220

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Spezifikation

IPB14N03LA Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB14N03LA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB14N03LA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB14N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB14N03LA.

Produkteigenschaften IPB14N03LA IPB144N12N3GATMA1 IPB14N03L IPB147N03LG
Artikelnummer IPB14N03LA IPB144N12N3GATMA1 IPB14N03L IPB147N03LG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 30A, 10V 14.4mOhm @ 56A, 10V - -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 4V @ 61µA - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 56A (Ta) - -
Verlustleistung (max) 46W (Tc) 107W (Tc) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 120 V - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 - -
Grundproduktnummer IPB14N IPB144 - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1043 pF @ 15 V 3220 pF @ 60 V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V 49 nC @ 10 V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -

IPB14N03LA Datenblatt PDF

Laden Sie IPB14N03LA PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB14N03LA - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IPB14N03LA.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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