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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB180N03S4L-H0
Infineon Technologies
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IPB180N03S4L-H0 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB180N03S4L-H0
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB180N03S4L-H0
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AU
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt
IPB180N03S4L-H0.pdf
vorrätig: 5430

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Spezifikation

IPB180N03S4L-H0 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB180N03S4L-H0 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB180N03S4L-H0

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 200µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7-3-10  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB180N03S4L-H0.

Produkteigenschaften IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-01 IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4LH0ATMA1
Artikelnummer IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-01 IPB17N25S3100ATMA1 IPB180N03S4LH0ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IPB180 IPB180 IPB17N25 IPB180
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 239 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 250 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 200µA 2.2V @ 140µA 4V @ 54µA 2.2V @ 200µA
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 188W (Tc) 107W (Tc) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V 1.05mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 17A, 10V 0.95mOhm @ 100A, 10V
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±16V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 17600 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 17A (Tc) 180A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-7-3-10 PG-TO263-3-2 PG-TO263-7-3
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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