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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB180N10S403ATMA1
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IPB180N10S403ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB180N10S403ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB180N10S403ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
IPB180N10S403ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9745

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Spezifikation

IPB180N10S403ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB180N10S403ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB180N10S403ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB180N10S403ATMA1.

Produkteigenschaften IPB180N10S403ATMA1 IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3G IPB180P04P4L02ATMA1
Artikelnummer IPB180N10S403ATMA1 IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3G IPB180P04P4L02ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 180A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 286 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA 4V @ 90µA 4V @ 90µA 2.2V @ 410µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10120 pF @ 25 V 1820 pF @ 75 V 1820 pF @ 75 V 18700 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IPB180 IPB200 - IPB180
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V 20mOhm @ 50A, 10V 20mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-7-3
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 8V, 10V 8V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 150 V 40 V

IPB180N10S403ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB180N10S403ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB180N10S403ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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