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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB22N03S4L15ATMA1
IPB22N03S4L15ATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB22N03S4L15ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB22N03S4L15ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB22N03S4L15ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPx22N03S4L-15.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4940

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Anzahl

Spezifikation

IPB22N03S4L15ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB22N03S4L15ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB22N03S4L15ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 31W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB22N03  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB22N03S4L15ATMA1.

Produkteigenschaften IPB22N03S4L15ATMA1 IPB200N25N3GATMA1 IPB230N06L3G IPB240N03S4LR9ATMA1
Artikelnummer IPB22N03S4L15ATMA1 IPB200N25N3GATMA1 IPB230N06L3G IPB240N03S4LR9ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 64A (Tc) 30A (Tc) 240A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 250 V 60 V 30 V
Grundproduktnummer IPB22N03 IPB200 - IPB240
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V 7100 pF @ 100 V 1600 pF @ 30 V 20300 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±16V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 0.92mOhm @ 100A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 300 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA 4V @ 270µA 2.2V @ 11µA 2.2V @ 180µA
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-7-3
Verlustleistung (max) 31W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc) 231W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPB22N03S4L15ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB22N03S4L15ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB22N03S4L15ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IPx22N03S4L-15.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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