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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB320N20N3GATMA1
IPB320N20N3GATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB320N20N3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB320N20N3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB320N20N3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB320N20N3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21364

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Anzahl

Spezifikation

IPB320N20N3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB320N20N3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB320N20N3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 34A, 10V  
Verlustleistung (max) 136W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB320  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1.

Produkteigenschaften IPB320N20N3GATMA1 IPB26CN10N IPB240N04S4R9ATMA1 IPB260N06N3G
Artikelnummer IPB320N20N3GATMA1 IPB26CN10N IPB240N04S4R9ATMA1 IPB260N06N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2350 pF @ 100 V 2070 pF @ 50 V 23000 pF @ 25 V 1200 pF @ 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 35A (Tc) 240A (Tc) 27A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 34A, 10V 26mOhm @ 35A, 10V 0.87mOhm @ 100A, 10V 25.7mOhm @ 27A, 10V
Verlustleistung (max) 136W (Tc) 71W (Tc) 300W (Tc) 36W (Tc)
Serie OptiMOS™ CoolMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™3
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IPB320 - IPB240 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 40 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-7-3 PG-TO263-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA 4V @ 39µA 4V @ 230µA 4V @ 11µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IPB320N20N3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB320N20N3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB320N20N3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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