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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB45N06S3L-13
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IPB45N06S3L-13 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB45N06S3L-13
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB45N06S3L-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB(I,P)45N06S3L-13.pdf
vorrätig: 4890

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Spezifikation

IPB45N06S3L-13 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB45N06S3L-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB45N06S3L-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.1mOhm @ 26A, 10V  
Verlustleistung (max) 65W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB45N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB45N06S3L-13.

Produkteigenschaften IPB45N06S3L-13 IPB45N06S3-16 IPB45N04S4L-08 IPB45N06S4L08ATMA3
Artikelnummer IPB45N06S3L-13 IPB45N06S3-16 IPB45N04S4L-08 IPB45N06S4L08ATMA3
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 2980 pF @ 25 V 2340 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IPB45N IPB45N - IPB45N
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 30µA 4V @ 30µA 2.2V @ 17µA 2.2V @ 35µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™T2 OptiMOS®-T2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.1mOhm @ 26A, 10V 15.4mOhm @ 23A, 10V 7.9mOhm @ 45A, 10V 7.9mOhm @ 45A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 40 V 60 V
Vgs (Max) ±16V ±20V +20V, -16V ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc) 45A (Tc) 45A (Tc) 45A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 65W (Tc) 65W (Tc) 45W (Tc) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IPB45N06S3L-13 Datenblatt PDF

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Datenblätter
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