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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB60R099P7ATMA1
IPB60R099P7ATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB60R099P7ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB60R099P7ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB60R099P7ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB60R099P7ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10674

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Anzahl

Spezifikation

IPB60R099P7ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB60R099P7ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB60R099P7ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 530µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie CoolMOS™ P7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 117W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB60R099  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB60R099P7ATMA1.

Produkteigenschaften IPB60R099P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 IPB60R099CPAATMA1 IPB60R160P6
Artikelnummer IPB60R099P7ATMA1 IPB60R120P7ATMA1 IPB60R099CPAATMA1 IPB60R160P6
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Grundproduktnummer IPB60R099 IPB60R120 IPB60R099 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 10.5A, 10V 120mOhm @ 8.2A, 10V 105mOhm @ 18A, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1952 pF @ 400 V 1544 pF @ 400 V 2800 pF @ 100 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 26A (Tc) 31A (Tc) -
Serie CoolMOS™ P7 CoolMOS™ P7 CoolMOS™ CP -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Verlustleistung (max) 117W (Tc) 95W (Tc) 255W (Tc) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 530µA 4V @ 410µA 3.5V @ 1.2mA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -

IPB60R099P7ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB60R099P7ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB60R099P7ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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