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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD042P03L3GATMA1
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IPD042P03L3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD042P03L3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD042P03L3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD042P03L3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40059

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Anzahl

Spezifikation

IPD042P03L3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD042P03L3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD042P03L3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 270µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD042  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD042P03L3GATMA1.

Produkteigenschaften IPD042P03L3GATMA1 IPD040N03LG IPD046N08N5ATMA1 IPD048N06L3G 048N06L
Artikelnummer IPD042P03L3GATMA1 IPD040N03LG IPD046N08N5ATMA1 IPD048N06L3G 048N06L
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Serie OptiMOS™ OptiMOS® 3 OptiMOS™ -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 90A (Tc) 90A (Tc) -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 80 V -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 15 V 3900 pF @ 15 V 3800 pF @ 40 V -
Grundproduktnummer IPD042 - IPD046 -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 4.6mOhm @ 45A, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 270µA 2.2V @ 250µA 3.8V @ 65µA -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V -
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 79W (Tc) 125W (Tc) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 175 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V -

IPD042P03L3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD042P03L3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD042P03L3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Verpackung
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