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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD075N03LGATMA1
IPD075N03LGATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD075N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD075N03LGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD075N03LGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD075N03LGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 123100

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Anzahl

Spezifikation

IPD075N03LGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD075N03LGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD075N03LGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD075  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD075N03LGATMA1.

Produkteigenschaften IPD075N03LGATMA1 IPD06N03LBG IPD075N03LG 075N03L IPD075N03LG
Artikelnummer IPD075N03LGATMA1 IPD06N03LBG IPD075N03LG 075N03L IPD075N03LG
Hersteller Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Serie OptiMOS™ - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 15 V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA - - -
Grundproduktnummer IPD075 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V - - -
Verlustleistung (max) 47W (Tc) - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - - -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -
Typ FET N-Channel - - -

IPD075N03LGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD075N03LGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD075N03LGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
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Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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