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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1 Image
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IPD090N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD090N03LGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD090N03LGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD090N03LGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 128310

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Anzahl

Spezifikation

IPD090N03LGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD090N03LGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD090N03LGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD090  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD090N03LGATMA1.

Produkteigenschaften IPD090N03LGATMA1 IPD096N08N3GATMA1 IPD09N03L IPD088N06N3G
Artikelnummer IPD090N03LGATMA1 IPD096N08N3GATMA1 IPD09N03L IPD088N06N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies VBSEMI Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 80 V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 3.5V @ 46µA - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ - -
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 100W (Tc) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V 9.6mOhm @ 46A, 10V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 73A (Tc) - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V 2410 pF @ 40 V - -
Grundproduktnummer IPD090 IPD096 - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -

IPD090N03LGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD090N03LGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD090N03LGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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