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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD122N10N3GATMA1
IPD122N10N3GATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD122N10N3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD122N10N3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD122N10N3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD122N10N3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 65250

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Anzahl

Spezifikation

IPD122N10N3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD122N10N3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD122N10N3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 46A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD122  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1.

Produkteigenschaften IPD122N10N3GATMA1 IPD12CN10NG IPD12CN10N IPD127N06LGBTMA1
Artikelnummer IPD122N10N3GATMA1 IPD12CN10NG IPD12CN10N IPD127N06LGBTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 59A (Tc) 67A (Tc) 67A (Tc) 50A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 60 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 46µA 4V @ 83µA 4V @ 83µA 2V @ 80µA
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™ OptiMOS™
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V 4320 pF @ 50 V 4320 pF @ 50 V 2300 pF @ 30 V
Grundproduktnummer IPD122 - - IPD127
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 46A, 10V 12.4mOhm @ 67A, 10V 12.4mOhm @ 67A, 10V 12.7mOhm @ 50A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V

IPD122N10N3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD122N10N3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD122N10N3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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