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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD20N03L
IPD20N03L Image
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IPD20N03L - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD20N03L
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD20N03L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD,IPU20N03L.pdf
vorrätig: 4540

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Spezifikation

IPD20N03L Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD20N03L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD20N03L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD20N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD20N03L.

Produkteigenschaften IPD20N03L IPD220N06L3GBTMA1 IPD180N10N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1
Artikelnummer IPD20N03L IPD220N06L3GBTMA1 IPD180N10N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 8V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 1600 pF @ 30 V 1800 pF @ 50 V 1820 pF @ 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 15A, 10V 22mOhm @ 30A, 10V 18mOhm @ 33A, 10V 20mOhm @ 50A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 43A (Tc) 50A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 10 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA 2.2V @ 11µA 3.5V @ 33µA 4V @ 90µA
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 36W (Tc) 71W (Tc) 150W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 100 V 150 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IPD20N IPD220 IPD180 IPD200
FET-Merkmal - - - -

IPD20N03L Datenblatt PDF

Laden Sie IPD20N03L PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD20N03L - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 04/Jun/2009.pdf
Datenblätter
IPD,IPU20N03L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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